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12月18日,英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(下称“英诺赛科”或“公司”,02577.HK)负责脱手公开招股,拟大家发售4536.4万股H股,香港发售占约10%,海外发售占约90%,另有约15%逾额配股权。发售价最高将为每股发售股份33.66港元,每手100股,预期H股将于12月30日上市。 氮化镓看成第三代半导体代表性材料,凭借高频、耐高压、抗辐照、高电子迁徙率等上风,在电动汽车及数据中心、光伏发电站及电网等下贱商场展现渊博的运用后劲。凭据弗若斯特沙利文的尊府,2023年,氮化镓功率半导体


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